H5ANAG6NCMR-XNC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCMR-XNC par SK hynix et H5ANAG6NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NCMR-XNC | H5ANAG6NAMR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $31,40 | $4,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | CMOS | — |
| Power Class | Normal Power | Normal Power |
| Interface | Parallel | — |
| Speed Grade | XN (3200) | — |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder ball) |
| Product Status | Active | — |
| Statut RoHS | RoHS Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] | [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 16 |
| Speed Grade / Data Rate | — | DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) |
| Architecture | — | CMOS DDR4 with bank groups |
| Type d'interface | — | Parallel, synchronous, double data rate |
| Available Speed Bins (family) | — | PB / RD / TF / UH / VK |
| Application Class | — | Main memory, embedded, industrial |
| Statut du cycle de vie | — | Active production |