H5ANAG6NCMR-XNC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCMR-XNC por SK hynix y H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NCMR-XNC | H5ANAG6NAMR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $31,40 | $4,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps/pin | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | CMOS | — |
| Power Class | Normal Power | Normal Power |
| Interfaz | Parallel | — |
| Speed Grade | XN (3200) | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder ball) |
| Product Status | Active | — |
| Estado RoHS | RoHS Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] | [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Organización de memoria | — | 1G x 16 |
| Speed Grade / Data Rate | — | DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) |
| Architecture | — | CMOS DDR4 with bank groups |
| Tipo de interfaz | — | Parallel, synchronous, double data rate |
| Available Speed Bins (family) | — | PB / RD / TF / UH / VK |
| Application Class | — | Main memory, embedded, industrial |
| Estado del ciclo de vida | — | Active production |