H5ANAG6NCMR-XNC vs MT40A1G16TD-062E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCMR-XNC von SK hynix und MT40A1G16TD-062E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A1G16TD-062E MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCMR-XNC MT40A1G16TD-062E
Marke SK hynix Micron Technology
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $31,40 $18,41
Speichertyp DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Speichergröße 16 Gb 16 Gbit
Memory Organization 1G x 16 —
Datenrate 3200 Mbps/pin —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Technology CMOS —
Power Class Normal Power —
Schnittstelle Parallel POD12 (1.2V pseudo open-drain)
Speed Grade XN (3200) -062E
Gehäuse FBGA-96 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Product Status Active —
RoHS-Status RoHS Compliant —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] TC maximum up to 95 C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Speicherorganisation — 1G x 16
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
Bank Architecture — 8 banks (x16 configuration)
VREFDQ — On-die, internal, adjustable generation
Product Line Suffix — AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog)

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