H5ANAG6NCMR-XNC vs MT40A1G16TD-062E 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NCMR-XNC メーカー: SK hynix および MT40A1G16TD-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNC H5ANAG6NCMR-XNC - 16Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA-96 | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNC - 16Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA-96 | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNC ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A1G16TD-062E MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NCMR-XNC MT40A1G16TD-062E
ブランド SK hynix Micron Technology
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $31.40 $18.41
メモリタイプ DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
メモリサイズ 16 Gb 16 Gbit
Memory Organization 1G x 16 —
データレート 3200 Mbps/pin —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Technology CMOS —
Power Class Normal Power —
インターフェース Parallel POD12 (1.2V pseudo open-drain)
Speed Grade XN (3200) -062E
パッケージ FBGA-96 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Product Status Active —
RoHS ステータス RoHS Compliant —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] TC maximum up to 95 C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
メモリ構成 — 1G x 16
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
Bank Architecture — 8 banks (x16 configuration)
VREFDQ — On-die, internal, adjustable generation
Product Line Suffix — AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼