H5ANAG6NCMR-XNC vs MT40A1G16TD-062E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCMR-XNC par SK hynix et MT40A1G16TD-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A1G16TD-062E MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCMR-XNC MT40A1G16TD-062E
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $31,40 $18,41
Type de mémoire DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb 16 Gbit
Memory Organization 1G x 16 —
Débit de données 3200 Mbps/pin —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Technology CMOS —
Power Class Normal Power —
Interface Parallel POD12 (1.2V pseudo open-drain)
Speed Grade XN (3200) -062E
Boîtier FBGA-96 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Product Status Active —
Statut RoHS RoHS Compliant —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] TC maximum up to 95 C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Organisation de la mémoire — 1G x 16
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
Bank Architecture — 8 banks (x16 configuration)
VREFDQ — On-die, internal, adjustable generation
Product Line Suffix — AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog)

Fiches techniques et ressources

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