H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NBJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCR-PBC von SK hynix und H5ANAG6NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $70,20 $6,45
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) 16 Gb (2 GB)
Speicherorganisation x16 (1G x 16) [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]
Versorgungsspannung 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) 1.2 V
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96
Number of Terminals 96 balls —
Betriebstemperatur 0C to 85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Montageart Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]

Datenblätter & Ressourcen

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