H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-PBC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $70,20 $6,45
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) 16 Gb (2 GB)
Organisation de la mémoire x16 (1G x 16) [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]
Tension d'alimentation 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) 1.2 V
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Boîtier FBGA-96 FBGA-96
Number of Terminals 96 balls —
Température de fonctionnement 0C to 85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]

Fiches techniques et ressources

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