H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-PBC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $70,20 $6,45
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) 16 Gb (2 GB)
Organización de memoria x16 (1G x 16) [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]
Tensión de alimentación 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) 1.2 V
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Encapsulado FBGA-96 FBGA-96
Number of Terminals 96 balls —
Temperatura de funcionamiento 0C to 85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]

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