H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG6NAMR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NAMR-UHC von SK hynix und H5ANAG6NAMR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG6NAMR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,15 $4,50
Manufacturer SK Hynix —
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Speicherorganisation 2G x 8 1G x 16
Datenrate DDR4-2400 (2400 MT/s) —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Gehäuse FBGA-78 FBGA-96 (PBGA96)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Schnittstelle Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS-Status Compliant (lead-free FBGA package) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Schnittstellentyp — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Lebenszyklusstatus — Active production

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