H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG8NAMR-UHC por SK hynix e H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG6NAMR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,15 $4,50
Manufacturer SK Hynix —
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Organização da memória 2G x 8 1G x 16
Taxa de dados DDR4-2400 (2400 MT/s) —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Encapsulamento FBGA-78 FBGA-96 (PBGA96)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Interface Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Status RoHS Compliant (lead-free FBGA package) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Tipo de interface — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Status do ciclo de vida — Active production

Fichas técnicas e recursos

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