H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG6NAMR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NAMR-UHC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NAMR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG6NAMR-UHC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.15 $4.50
Manufacturer SK Hynix —
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
메모리 구성 2G x 8 1G x 16
데이터 속도 DDR4-2400 (2400 MT/s) —
공급 전압 1.2 V —
패키지 FBGA-78 FBGA-96 (PBGA96)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
인터페이스 Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS 상태 Compliant (lead-free FBGA package) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
인터페이스 유형 — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
수명 주기 상태 — Active production

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