H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NAMR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG6NAMR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,15 $4,50
Manufacturer SK Hynix —
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Organización de memoria 2G x 8 1G x 16
Velocidad de datos DDR4-2400 (2400 MT/s) —
Tensión de alimentación 1.2 V —
Encapsulado FBGA-78 FBGA-96 (PBGA96)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Interfaz Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Estado RoHS Compliant (lead-free FBGA package) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Tipo de interfaz — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Estado del ciclo de vida — Active production

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