H5CG34MEBDX030 vs H5CG48MEBDX014N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5CG34MEBDX030 von SK hynix und H5CG48MEBDX014N von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5CG34MEBDX030 H5CG34MEBDX030 - DDR5 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5CG34MEBDX030 - DDR5 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5CG34MEBDX030 ✓ Aktiv
SK hynix
H5CG48MEBDX014N H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5CG34MEBDX030 H5CG48MEBDX014N
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,75 $41,68
Manufacturer SK hynix —
Product Family H5CG (DDR5 SDRAM) —
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density [DATA_NEEDED: device density (Gb)] 16 Gbit
Speicherorganisation [DATA_NEEDED: x organization] 2G x 8
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: MT/s speed bin] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL value] —
Supply Voltage VDD [DATA_NEEDED: VDD (typ. 1.1 V class for DDR5)] —
Gehäuse FBGA (fine-pitch BGA), surface mount FBGA-82 (11 x 10 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
On-die ECC Yes (DDR5 standard feature) —
Burst Length 16 (DDR5 standard) —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Schnittstellentyp Parallel, DDR5 point-to-point Parallel, DDR5
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Datenrate — 4800 Mbps
Versorgungsspannung — 1.1 V
Row Address — 12 bits
Column Address — 9 bits
Die Generation — M-die
Memory Class — Synchronous DRAM
Speed Class — DDR5-4800 (PC5)

Datenblätter & Ressourcen

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