H5CG34MEBDX030 vs H5CG48MEBDX014N Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5CG34MEBDX030 por SK hynix y H5CG48MEBDX014N por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5CG34MEBDX030 H5CG34MEBDX030 - DDR5 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5CG34MEBDX030 - DDR5 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5CG34MEBDX030 ✓ Activo
SK hynix
H5CG48MEBDX014N H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5CG34MEBDX030 H5CG48MEBDX014N
Marca SK hynix SK hynix
Categoría DRAM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,75 $41,68
Manufacturer SK hynix —
Product Family H5CG (DDR5 SDRAM) —
Tipo de memoria DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density [DATA_NEEDED: device density (Gb)] 16 Gbit
Organización de memoria [DATA_NEEDED: x organization] 2G x 8
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: MT/s speed bin] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL value] —
Supply Voltage VDD [DATA_NEEDED: VDD (typ. 1.1 V class for DDR5)] —
Encapsulado FBGA (fine-pitch BGA), surface mount FBGA-82 (11 x 10 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
On-die ECC Yes (DDR5 standard feature) —
Burst Length 16 (DDR5 standard) —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Tipo de interfaz Parallel, DDR5 point-to-point Parallel, DDR5
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Velocidad de datos — 4800 Mbps
Tensión de alimentación — 1.1 V
Row Address — 12 bits
Column Address — 9 bits
Die Generation — M-die
Memory Class — Synchronous DRAM
Speed Class — DDR5-4800 (PC5)

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