H5CG34MEBDX030 vs H5CG48MEBDX014N 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5CG34MEBDX030 제조: SK hynix 및 H5CG48MEBDX014N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5CG34MEBDX030 H5CG34MEBDX030 - DDR5 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5CG34MEBDX030 - DDR5 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5CG34MEBDX030 ✓ 활성
SK hynix
H5CG48MEBDX014N H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5CG34MEBDX030 H5CG48MEBDX014N
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 DRAM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.75 $41.68
Manufacturer SK hynix —
Product Family H5CG (DDR5 SDRAM) —
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density [DATA_NEEDED: device density (Gb)] 16 Gbit
메모리 구성 [DATA_NEEDED: x organization] 2G x 8
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: MT/s speed bin] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL value] —
Supply Voltage VDD [DATA_NEEDED: VDD (typ. 1.1 V class for DDR5)] —
패키지 FBGA (fine-pitch BGA), surface mount FBGA-82 (11 x 10 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
On-die ECC Yes (DDR5 standard feature) —
Burst Length 16 (DDR5 standard) —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
인터페이스 유형 Parallel, DDR5 point-to-point Parallel, DDR5
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
데이터 속도 — 4800 Mbps
공급 전압 — 1.1 V
Row Address — 12 bits
Column Address — 9 bits
Die Generation — M-die
Memory Class — Synchronous DRAM
Speed Class — DDR5-4800 (PC5)

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