H5CG34MEBDX030 vs H5CG48MEBDX014N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5CG34MEBDX030 par SK hynix et H5CG48MEBDX014N par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5CG34MEBDX030 H5CG34MEBDX030 - DDR5 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5CG34MEBDX030 - DDR5 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5CG34MEBDX030 ✓ Actif
SK hynix
H5CG48MEBDX014N H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5CG34MEBDX030 H5CG48MEBDX014N
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,75 $41,68
Manufacturer SK hynix —
Product Family H5CG (DDR5 SDRAM) —
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density [DATA_NEEDED: device density (Gb)] 16 Gbit
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: x organization] 2G x 8
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: MT/s speed bin] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL value] —
Supply Voltage VDD [DATA_NEEDED: VDD (typ. 1.1 V class for DDR5)] —
Boîtier FBGA (fine-pitch BGA), surface mount FBGA-82 (11 x 10 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
On-die ECC Yes (DDR5 standard feature) —
Burst Length 16 (DDR5 standard) —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Type d'interface Parallel, DDR5 point-to-point Parallel, DDR5
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Débit de données — 4800 Mbps
Tension d'alimentation — 1.1 V
Row Address — 12 bits
Column Address — 9 bits
Die Generation — M-die
Memory Class — Synchronous DRAM
Speed Class — DDR5-4800 (PC5)

Fiches techniques et ressources

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