H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63AFR-G7A Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63CFR-PBA von SK hynix und H5TC4G63AFR-G7A von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63AFR-G7A
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,23 $6,50
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Gehäuse 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Compliant Compliant
Halogenfrei Yes Yes
Lead-Free Yes Yes
Versorgungsspannung — 1.35V
Datenrate — 1600 Mbps (PC3-12800)
Betriebstemperatur — 0°C to 95°C (case)
CAS-Latenz — Programmable (e.g., 11)
Burst Length — 8 and 4
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
Process Technology — CMOS

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