H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63AFR-G7A Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5TC4G63CFR-PBA por SK hynix e H5TC4G63AFR-G7A por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ Ativo
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63AFR-G7A
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,23 $6,50
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Encapsulamento 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes Yes
Lead-Free Yes Yes
Tensão de alimentação — 1.35V
Taxa de dados — 1600 Mbps (PC3-12800)
Temperatura de operação — 0°C to 95°C (case)
Latência CAS — Programmable (e.g., 11)
Burst Length — 8 and 4
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
Process Technology — CMOS

Fichas técnicas e recursos

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