H5TC4G63CFR-XXL vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63CFR-xxL von SK hynix und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63CFR-xxL K4B4G1646E-BYMA
Marke SK hynix Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $14,32
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Versorgungsspannung 1.35V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Gehäuse 96-pin FBGA FBGA-96
Datenrate [DATA_NEEDED: data rate] 1866 Mbps/pin
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 96 96
Schnittstelle DDR3L —
Clock Frequency — 933 MHz
Betriebstemperatur — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA

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