H5TC4G63CFR-XXL vs K4B4G1646E-BYMA 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63CFR-xxL 제조: SK hynix 및 K4B4G1646E-BYMA 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ 활성
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TC4G63CFR-xxL K4B4G1646E-BYMA
브랜드 SK hynix Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $14.32
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
공급 전압 1.35V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
패키지 96-pin FBGA FBGA-96
데이터 속도 [DATA_NEEDED: data rate] 1866 Mbps/pin
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 96 96
인터페이스 DDR3L —
Clock Frequency — 933 MHz
동작 온도 — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA

데이터시트 & 자료

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