H5TC4G63CFR-XXL vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-xxL par SK hynix et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ Actif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63CFR-xxL K4B4G1646E-BYMA
Marque SK hynix Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $14,32
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Tension d'alimentation 1.35V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Boîtier 96-pin FBGA FBGA-96
Débit de données [DATA_NEEDED: data rate] 1866 Mbps/pin
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 96 96
Interface DDR3L —
Clock Frequency — 933 MHz
Température de fonctionnement — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA

Fiches techniques et ressources

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