H5TQ4G63EFR-RDC vs H5TQ4G63AFR-H9C Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TQ4G63EFR-RDC von SK hynix und H5TQ4G63AFR-H9C von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TQ4G63EFR-RDC H5TQ4G63AFR-H9C
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $12,30 $6,50
Speichertyp DDR3 SDRAM DDR3 SDRAM
Speichergröße 4 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 8 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.425 V to 1.575 V (1.5 V typ.) —
Clock Rate 1.066 GHz class —
Gehäuse FBGA-96 96-ball TFBGA
Betriebstemperatur 0C to +95C (RDC grade) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle DDR3 (parallel, JEDEC DDR3 command interface) —
Data Mask Yes (DM function) —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
RoHS-Status Compliant —
Manufacturer SK hynix (Hynix Semiconductor) —
Density — 4 Gb
Versorgungsspannung — 1.5 V
Clock Speed (tCK) — 0.255 ns
Package Shape — RECTANGULAR
Refresh Cycles — 8192
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
RoHS — Compliant
Halogenfrei — Yes
Datenrate — 3.9 Gbps per pin (approx)
Ball Pitch — 0.8 mm

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