H5TQ4G63EFR-RDC vs H5TQ4G63AFR-H9C Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TQ4G63EFR-RDC par SK hynix et H5TQ4G63AFR-H9C par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TQ4G63EFR-RDC | H5TQ4G63AFR-H9C |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $12,30 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.425 V to 1.575 V (1.5 V typ.) | — |
| Clock Rate | 1.066 GHz class | — |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (RDC grade) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR3 (parallel, JEDEC DDR3 command interface) | — |
| Data Mask | Yes (DM function) | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | SK hynix (Hynix Semiconductor) | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Tension d'alimentation | — | 1.5 V |
| Clock Speed (tCK) | — | 0.255 ns |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |
| Débit de données | — | 3.9 Gbps per pin (approx) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |