H5TQ4G63EFR-RDC vs H5TQ4G63AFR-H9C Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5TQ4G63EFR-RDC por SK hynix e H5TQ4G63AFR-H9C por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5TQ4G63EFR-RDC H5TQ4G63AFR-H9C
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $12,30 $6,50
Tipo de memória DDR3 SDRAM DDR3 SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit —
Organização da memória 512M x 8 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.425 V to 1.575 V (1.5 V typ.) —
Clock Rate 1.066 GHz class —
Encapsulamento FBGA-96 96-ball TFBGA
Temperatura de operação 0C to +95C (RDC grade) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface DDR3 (parallel, JEDEC DDR3 command interface) —
Data Mask Yes (DM function) —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer SK hynix (Hynix Semiconductor) —
Density — 4 Gb
Tensão de alimentação — 1.5 V
Clock Speed (tCK) — 0.255 ns
Package Shape — RECTANGULAR
Refresh Cycles — 8192
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
RoHS — Compliant
Livre de halogênio — Yes
Taxa de dados — 3.9 Gbps per pin (approx)
Ball Pitch — 0.8 mm

Fichas técnicas e recursos

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