IAUC100N04S6N028ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC100N04S6N028ATMA1 von Infineon und IAUZ40N10S5N130ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 40V —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (super-junction trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 400 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 2.8 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 1.5 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g in nC] —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C 62 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (TJ)
Gehäuse PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes —
RoHS-Status Compliant —
Part Number — IAUZ40N10S5N130ATMA1
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

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