IAUC100N04S6N028ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N04S6N028ATMA1 por Infineon e IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 40V —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (super-junction trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 400 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 2.8 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 1.5 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g in nC] —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C 62 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (TJ)
Encapsulamento PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes —
Status RoHS Compliant —
Part Number — IAUZ40N10S5N130ATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

Fichas técnicas e recursos

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