IAUC100N04S6N028ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6N028ATMA1 par Infineon et IAUZ40N10S5N130ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 40V —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (super-junction trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 400 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 2.8 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 1.5 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g in nC] —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C 62 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (TJ)
Boîtier PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes —
Statut RoHS Compliant —
Part Number — IAUZ40N10S5N130ATMA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

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