IAUC100N04S6N028ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUC100N04S6N028ATMA1 メーカー: Infineon および IAUZ40N10S5N130ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IAUC100N04S6N028ATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.42 | $0.52 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 40V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 400 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 2.8 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 1.5 V to 2.5 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | 62 W | — |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (TJ) |
| パッケージ | PG-TDSON-8 (TDSON-8) | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Part Number | — | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |