IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC120N04S6N010ATMA1 von Infineon und IAUC50N08S5N102ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Aktiv
Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,68 $0,51
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 150 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 150 W —
RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.0 mΩ —
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) 1.03 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) 3 V (at 90 µA) —
Technology OptiMOS 6 —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) -55°C to +175°C
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Gate Drive Recommendation 10 V VGS for full RDS(on) spec —
Polarity Single N-channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 50 A
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1394 pF @ 40 V
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 60 W
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8-33
Qualification — AEC-Q101

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern