IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC120N04S6N010ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC50N08S5N102ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.68 $0.51
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 150 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 150 W —
RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.0 mΩ —
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) 1.03 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) 3 V (at 90 µA) —
Technology OptiMOS 6 —
パッケージ PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) -55°C to +175°C
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Gate Drive Recommendation 10 V VGS for full RDS(on) spec —
Polarity Single N-channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 50 A
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1394 pF @ 40 V
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 60 W
パッケージ / ケース — PG-TDSON-8-33
Qualification — AEC-Q101

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