IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUC120N04S6N010ATMA1 от Infineon и IAUC50N08S5N102ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ АктивенInfineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IAUC120N04S6N010ATMA1 | IAUC50N08S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,68 | $0,51 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | 150 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | 150 W | — |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.0 mΩ | — |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | 1.03 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | 3 V (at 90 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) | -55°C to +175°C |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Recommendation | 10 V VGS for full RDS(on) spec | — |
| Polarity | Single N-channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 50 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1394 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 60 W |
| Корпус / Типоразмер | — | PG-TDSON-8-33 |
| Qualification | — | AEC-Q101 |