IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N04S6N010ATMA1 par Infineon et IAUC50N08S5N102ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N04S6N010ATMA1 | IAUC50N08S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $0,51 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | 150 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | 150 W | — |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.0 mΩ | — |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | 1.03 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | 3 V (at 90 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) | -55°C to +175°C |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Recommendation | 10 V VGS for full RDS(on) spec | — |
| Polarity | Single N-channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 50 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1394 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 60 W |
| Boîtier / Format | — | PG-TDSON-8-33 |
| Qualification | — | AEC-Q101 |