IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC50N08S5L096ATMA1 von Infineon und IAUC90N10S5N062ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,98 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C —
Gehäuse PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes Yes
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 90 A
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.2 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 115 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5)
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (260 C peak reflow)
RoHS / Green Product — Yes (RoHS compliant, Green Product)

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