IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC50N08S5L096ATMA1 por Infineon e IAUC90N10S5N062ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,98 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 90 A
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.2 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 115 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5)
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (260 C peak reflow)
RoHS / Green Product — Yes (RoHS compliant, Green Product)

Fichas técnicas e recursos

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