IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7L005ATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,85 $0,82
Technology OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 430 A (Tj) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] —
On-Resistance R_DS(on) max 0.52 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 179 W (T_C) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Gehäuse PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per family datasheet)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

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