IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7L005ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7L005ATMA1 - 40V 430A 0.52mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L005ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7L005ATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,85 | $0,82 |
| Technology | OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 430 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) | [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] | — |
| On-Resistance R_DS(on) max | 0.52 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D) | 179 W (T_C) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (Tj) | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| Boîtier | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |