IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7L005ATMA1 por Infineon y IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,85 $0,82
Technology OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 430 A (Tj) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] —
On-Resistance R_DS(on) max 0.52 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 179 W (T_C) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Encapsulado PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per family datasheet)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

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