IAUCN04S7L019ATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7L019ATMA1 von Infineon und BSC032N04LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7L019ATMA1 BSC032N04LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V 1.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value] —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value] —
Gehäuse PG-TDSON-8-33 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C to +175°C (junction) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) [DATA_NEEDED: Pd max at 25C] —
Wärmewiderstand, Sperrschicht-Umgebung [DATA_NEEDED: RthJA value] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 —
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
Standard Pack Quantity 5000 pieces —
Ordering Code Suffix ATMA1 (Tape & Reel 13") —
Part Series — OptiMOS 5 40V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 98 A
RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Technology — OptiMOS 5 trench
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Lead-Free — Yes

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