IAUCN04S7L019ATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7L019ATMA1 por Infineon y BSC032N04LSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7L019ATMA1 BSC032N04LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V 1.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value] —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value] —
Encapsulado PG-TDSON-8-33 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (junction) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) [DATA_NEEDED: Pd max at 25C] —
Resistencia térmica, unión a ambiente [DATA_NEEDED: RthJA value] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 —
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
Standard Pack Quantity 5000 pieces —
Ordering Code Suffix ATMA1 (Tape & Reel 13") —
Part Series — OptiMOS 5 40V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 98 A
RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Technology — OptiMOS 5 trench
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +175°C
Lead-Free — Yes

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización