IAUCN04S7L019ATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7L019ATMA1 por Infineon e BSC032N04LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7L019ATMA1 BSC032N04LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V 1.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value] —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value] —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55°C to +175°C (junction) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) [DATA_NEEDED: Pd max at 25C] —
Resistência térmica, junção-ambiente [DATA_NEEDED: RthJA value] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 —
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
Standard Pack Quantity 5000 pieces —
Ordering Code Suffix ATMA1 (Tape & Reel 13") —
Part Series — OptiMOS 5 40V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 98 A
RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Technology — OptiMOS 5 trench
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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