IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N019DATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N019DATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Gehäuse PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-60 (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 (family)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Technology — OptiMOS 7 40V
Configuration — Dual N-Channel (array)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 160 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Input Capacitance (Ciss, typ.) — 1.465 nF
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
ESD Protection — Yes (gate integrated)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020, family default)

Datenblätter & Ressourcen

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