IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N019DATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N019GATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N019DATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $1.05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
パッケージ PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-60 (SuperSO8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 (family)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Technology — OptiMOS 7 40V
Configuration — Dual N-Channel (array)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 160 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Input Capacitance (Ciss, typ.) — 1.465 nF
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
ESD Protection — Yes (gate integrated)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020, family default)

データシート&リソース

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