IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N019DATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N019DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Boîtier PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-60 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 (family)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Technology — OptiMOS 7 40V
Configuration — Dual N-Channel (array)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 160 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Input Capacitance (Ciss, typ.) — 1.465 nF
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
ESD Protection — Yes (gate integrated)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, family default)

Fiches techniques et ressources

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