IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7N037GATMA1 von Infineon und IAUA180N04S5N012AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7N037GATMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS-5 40 V
Technology Trench MOSFET, N-Channel OptiMOS-5 Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 91 A —
On-State Resistance RDS(on) typical 3.65 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc 57 W —
Gehäuse SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm²
Montageart Surface Mount (IMS substrate attach compatible) Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] -55 °C to +175 °C (Tj)
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Part Number — IAUA180N04S5N012AUMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 180 A (Tc)
Maximum Power Dissipation (PD) — 125 W (Tc)
R_DS(on) (max) — 1.2 mΩ at 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V

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