IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N037GATMA1 por Infineon e IAUA180N04S5N012AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N037GATMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS-5 40 V
Technology Trench MOSFET, N-Channel OptiMOS-5 Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 91 A —
On-State Resistance RDS(on) typical 3.65 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc 57 W —
Encapsulamento SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm²
Tipo de montagem Surface Mount (IMS substrate attach compatible) Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] -55 °C to +175 °C (Tj)
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Part Number — IAUA180N04S5N012AUMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 180 A (Tc)
Maximum Power Dissipation (PD) — 125 W (Tc)
R_DS(on) (max) — 1.2 mΩ at 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V

Fichas técnicas e recursos

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