IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon et IAUA180N04S5N012AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N037GATMA1 | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,89 | $1,96 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS-5 40 V |
| Technology | Trench MOSFET, N-Channel | OptiMOS-5 Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 91 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) typical | 3.65 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 57 W | — |
| Boîtier | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) | PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² |
| Type de montage | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Gate Charge (Qg) typical | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Part Number | — | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 180 A (Tc) |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 125 W (Tc) |
| R_DS(on) (max) | — | 1.2 mΩ at 10 V VGS |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |