IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7N056DATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,68 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7N056DATMA1 —
Series OptiMOS 5 40V —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 60 A (Tj) —
RDS(on) (typ) 5.59 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 41 W (Tc) —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Gehäuse PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
RoHS-Status Compliant Compliant
Packaging Type Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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