IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N056DATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N056DATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7N056DATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 5 40V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 60 A (Tj) | — |
| RDS(on) (typ) | 5.59 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 41 W (Tc) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| Boîtier | PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Type | Tape & Reel | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Lead-Free | — | Yes |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |