IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N056DATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N019GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.68 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7N056DATMA1 —
Series OptiMOS 5 40V —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 60 A (Tj) —
RDS(on) (typ) 5.59 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 41 W (Tc) —
動作温度範囲 -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
パッケージ PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Type Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

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