IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN10S5L110TATMA1 von Infineon und IAUC100N10S5L054ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN10S5L110TATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,08 $1,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5 (IAUC automotive family)
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Gehäuse PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TDSON-8-34 (surface mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL1 (260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
RoHS-Status Compliant Compliant
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Gate-to-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS value]
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 101 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 130 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5.4 mΩ
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +175°C
Qualification — AEC-Q101 (automotive)

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